工場モデル : | ZXMHN6A07T8TA | RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
---|---|---|---|
メーカー/ブランド : | Diodes Incorporated | 在庫状況 : | 6419 pcs Stock |
説明 : | MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 | 配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | ZXMHN6A07T8TA.pdf | 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | ZXMHN6A07T8TA |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
説明 | MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 6419 pcs |
仕様書 | ZXMHN6A07T8TA.pdf |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | SM8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
電力 - 最大 | 1.6W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | SOT-223-8 |
他の名前 | 1034-ZXMHN6A07T8CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 20 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 166pF @ 40V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.2nC @ 10V |
FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.4A |
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC