NDF04N60ZH

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工場モデル :	NDF04N60ZH
RoHS ステータス :	鉛フリー/ RoHS準拠
メーカー/ブランド :	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
在庫状況 :	6780 pcs Stock
説明 :	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
配達場所 :	香港
仕様書 :	NDF04N60ZH.pdf
輸送モード :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

製品詳細

NDF04N60ZHの信頼できるソースが必要な場合は、正しい場所に来ます！当社のRX Electronicsは、このコンポーネントの世界的なディストリビューターです。さらに、さまざまな有名なブランドからの電子コンポーネントも提供しています。SemiconductorのNDF04N60ZHは、効率的な電力スイッチングアプリケーション向けに設計された高性能NチャンネルMOSFETです。 VGS = 10Vで通常125MΩの低い状態抵抗（RDS（ON））を備えており、最小限の伝導損失を保証します。 600Vの排水管電圧定格（VDS）と4.0Aまでの連続ドレン電流（ID）により、高電圧環境で優れています。その高速スイッチング速度はスイッチング損失を減らし、スイッチモード電源（SMPS）、DC-DCコンバーター、およびモーター制御システムに最適です。デバイスの熱により強化されたSO-8パッケージは、熱放散を改善し、厳しい条件での信頼性を高めます。その堅牢な雪崩機能は、過渡電圧に対する耐久性を保証します。このMOSFETは、効率的な電力管理ソリューションのために産業、自動車、および家電製品で広く使用されています。私たちはいつでもあなたのサービスにいます！

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モデル	NDF04N60ZH
メーカー	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明	MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	6780 pcs
仕様書	NDF04N60ZH.pdf
同上@ VGS（TH）（最大）	4.5V @ 50µA
Vgs（最大）	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220FP
シリーズ	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）	2 Ohm @ 2A, 10V
電力消費（最大）	30W (Tc)
パッケージング	Tube
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack
他の名前	NDF04N60ZH-ND NDF04N60ZHOS
運転温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）	1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	640pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs	29nC @ 10V
FETタイプ	N-Channel
FET特長	-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン	600V
詳細な説明	N-Channel 600V 4.8A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.8A (Tc)

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承認されたメソッド：

電信/電信送金
エスクロートランザクション

電信送金：

受益者名：RX Electronics Limited
A / C＃：002-505139-055
銀行名：HSBC銀行（中国）会社限定
SWIFT：HSBCCNSHSZN
銀行住所：27 / F、中国資源ビル、No.5001、Shennan Road
中国深セン、ルーフ地区東部
地域：中国

ワイヤー転送目的を示してください:( INV＃とINV日）