工場モデル : | SI9910DY-T1-E3 | RoHS ステータス : | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
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メーカー/ブランド : | Electro-Films (EFI) / Vishay | 在庫状況 : | 350 pcs Stock |
説明 : | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | 配達場所 : | 香港 |
仕様書 : | SI9910DY-T1-E3(1).pdfSI9910DY-T1-E3(2).pdf | 輸送モード : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
モデル | SI9910DY-T1-E3 |
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メーカー | Electro-Films (EFI) / Vishay |
説明 | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫あり | 350 pcs |
仕様書 | SI9910DY-T1-E3(1).pdfSI9910DY-T1-E3(2).pdf |
電源電圧 - | 10.8 V ~ 16.5 V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | - |
立上り/立下り時間(Typ) | 50ns, 35ns |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前 | SI9910DY-T1-E3TR SI9910DYT1E3 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
入力周波数 | 1 |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
ロジック電圧 - VIL、VIH | - |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力タイプ | Non-Inverting |
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) | 500V |
ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
駆動構成 | High-Side |
詳細な説明 | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) | 1A, 1A |
ベース・エミッタ間飽和電圧(最大) | Single |
ベース部品番号 | SI9910 |
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
在庫ありMOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
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