MRF5S21150HSR5

工場モデル :	MRF5S21150HSR5	RoHS ステータス :	鉛フリー/ RoHS準拠
メーカー/ブランド :	NXP Semiconductors / Freescale	在庫状況 :	357 pcs Stock
説明 :	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S	配達場所 :	香港
仕様書 :	MRF5S21150HSR5.pdf	輸送モード :	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

製品詳細

効率的で経験豊富なハイブリッドエレクトロニクスディストリビューターとして、当社 - RX Electronicsは、NXP USA Inc.によって製造されたMRF5S21150HSR5の膨大な選択を提供します。ステーションアプリケーション。このLDMO（横方向に拡散した金属酸化物半導体）デバイスは、1800〜2200 MHzの周波数範囲内で動作し、優れた効率と直線性を提供します。主な機能には、150Wの最大出力電力が含まれており、ワイヤレスインフラストラクチャ環境を要求するのに適しています。

MRF5S21150HSR5は優れた熱性能を誇っており、高出力条件下で信頼できる動作を確保しています。また、強化された頑丈さを提供し、寿命を延ばし、メンテナンスコストを削減します。デバイスのコンパクトなフットプリントにより、最新の通信システムへの空間効率の高い統合が可能になります。

このICのアプリケーションは、主にLTEおよび5Gのベースステーションで見つかり、高出力と効率が重要です。さらに、双方向ラジオ、公共セーフティネットワーク、および堅牢なパフォーマンスと信頼性を必要とするその他のRF増幅システムで利用できます。全体として、MRF5S21150HSR5は、高度なRFアプリケーションの多用途で強力なソリューションとして際立っています。営業チームにお問い合わせいただくか、info@rxelectronics.comにメールを送信してください。

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モデル	MRF5S21150HSR5
メーカー	NXP Semiconductors / Freescale
説明	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S
フリーステータス/ RoHS状態	鉛フリー/ RoHS準拠
在庫あり	357 pcs
仕様書	MRF5S21150HSR5.pdf
電圧 - テスト	28V
電圧 - 定格	65V
トランジスタ型式	LDMOS
サプライヤデバイスパッケージ	NI-880S
シリーズ	-
電力出力	33W
パッケージング	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース	NI-880S
雑音指数	-
水分感受性レベル（MSL）	3 (168 Hours)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス	Lead free / RoHS Compliant
利得	12.5dB
周波数	2.11GHz ~ 2.17GHz
詳細な説明	RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.11GHz ~ 2.17GHz 12.5dB 33W NI-880S
定格電流	-
電流 - テスト	1.3A
ベース部品番号	MRF5S21150

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承認されたメソッド：

電信/電信送金
エスクロートランザクション

電信送金：

受益者名：RX Electronics Limited
A / C＃：002-505139-055
銀行名：HSBC銀行（中国）会社限定
SWIFT：HSBCCNSHSZN
銀行住所：27 / F、中国資源ビル、No.5001、Shennan Road
中国深セン、ルーフ地区東部
地域：中国

ワイヤー転送目的を示してください:( INV＃とINV日）